ФГУП «ЭЗАН»

НИКА-3

  • Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского
  • Диаметр тигля для расплава: до 150 мм
  • Масса кристалла: до 5 кг; до 10 кг
  • Чувствительность датчика веса: ≥0,02 г; ≥0,04 г

далее


НИКА-ПРОФИЛЬ

  • Автоматизированная установка для выращивания профилированных монокристаллов сапфира
  • Вид кристалла: полоса, стержень, трубка
  • Диаметр тигля для расплава: 250 мм
  • Масса кристалла: до 5 кг; до 10 кг

далее


НИКА М-30

  • Автоматизированная установка для промышленного выращивания кристаллов искусственного сапфира методом Киропулоса
  • Прямое высокоточное взвешивание кристалла
  • Размеры тигля для расплава (диаметр х высота): 250х300 мм
  • Масса кристалла: 30  кг

далее


НИКА М-60

  • Автоматизированная установка для промышленного выращивания монокристаллов сапфира методом Киропулоса
  • Размеры тигля для расплава (диаметр х высота): 300х450 мм
  • Масса кристалла: до 70  кг
  • Чувствительность датчика веса: ≥1 г

далее


Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов карбида кремния

  • Метод выращивания карбида кремния (SiC): Сублимационный
  • Максимальные размеры кристалла: диаметр до 80 мм; высота до 30 мм
  • Диаметр тигля для шихты: до 110 мм
  • Внутренний диаметр кварцевого ректора: 210  мм

далее

Scroll Up